Embora aposentado, o meu interesse pelas pesquisas e pelas inovações tecnológicas não arrefeceu. Aposentado como professor? Sim! Afastado da ciência? Não! Por este motivo, procurando me manter atualizado, continuo lendo artigos publicados em periódicos científicos nacionais e internacionais, em particular quando os temas enfocados envolvem eficiência energética, ligas amorfas e nanomateriais.

Lendo o primeiro parágrafo, os prezados leitores podem, de antemão, imaginar que este texto enverede por assuntos e termos intrincados. Porém, o desafio deste articulista é justamente o contrário, tornar a leitura acessível ao público em geral, sem perder o rigor da redação técnica e científica.

Neste sentido, seguem alguns comentários sobre o artigo intitulado “Phase-change memory via a phase-changeable self-confined nano-filament”, publicado na Revista Nature (London), 628, p.293-298, em 3 de abril de 2024, tendo como autores See-On Park Seokman Hong, Su-Jin Sung, Dawon Kim, Seokho Seo, Hakcheon Jeong, Taehoon Park, Won Joon Cho, Jeehwan Kim e Shinhyum Choi.

O título em inglês pode ser traduzido livremente para o português como “Memória de mudança de fase por meio de um nanofilamento autoconfinado com mudança de fase”.

Memórias de mudança de fase são componentes de memória que armazenam e/ou processam informações alterando os estados cristalinos dos materiais de que são feitas. Usando calor, elas são chaveadas entre as fases amorfas e cristalinas, o que altera seu estado de resistência elétrica: num estado ela guarda um bit 0 (zero), e no outro guarda um bit 1.

A vantagem desse tipo de memória é que, uma vez gravada a informação, não é mais necessário ficar atualizando-a, pois trata-se de uma memória não-volátil, que não perde a informação na ausência de energia elétrica.

Sem se aprofundar na fundamentação teórica e na metodologia experimental apresentadas no citado artigo, pode-se afirmar que See-On Park e seus colaboradores do Instituto Avançado de Ciência e Tecnologia da Coreia do Sul desenvolveram uma nova família de memória de fase com um ultrabaixo consumo de energia (eficiência energética), baixo o suficiente para que elas possam substituir as memórias atuais.

Além da redução do consumo de energia, eles resolveram o segundo grande problema, a dificuldade de fabricação, o que leva a um alto custo. Isto foi possível formando eletricamente um filamento de fase em escala nanométrica, algo viável de ser feito em escala industrial (viabilidade técnica), tornando possível o uso de diversos tipos de materiais para obter os nanofios.

Neste contexto, ultrapassada a barreira da viabilidade técnica, o próximo passo da memória inovadora proposta é não apenas substituir as memórias atuais dos computadores, mas também servir de base para a implantação dos esperados sistemas de computação morfológicos e de novos “hardwares” a serem empregados em sistemas de inteligência artificial.

Contudo, por mais promissoras que sejam as memórias de mudança de fase, quando analisada de forma sistêmica, percebe-se que elas ainda dependem de dispendiosos processos de fabricação das ligas amorfas e das ligas nanocristalinas que demandam grande quantidade de energia para passar de uma fase para outra, comprometendo a economia de energia e a atratividade econômica, em termos de retorno do investimento.